Các vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba như silic carbua (SiC) và gallium nitride (GaN) sở hữu những đặc tính nổi bật như dải cấm rộngbóng đá việt nam, cường độ điện trường phá vỡ cao, độ dẫn nhiệt tốt, tốc độ bão hòa của electron lớn và khả năng chống bức xạ mạnh. So với các linh kiện bán dẫn công suất truyền thống dựa trên silicon, các linh kiện bán dẫn công suất dựa trên SiC và GaN có ưu điểm rõ rệt như điện trở dẫn thấp, tổn hao chuyển mạch nhỏ, nhiệt độ hoạt động cao và khả năng tản nhiệt hiệu quả. Chính vì vậy, bộ biến đổi điện tử công suất sử dụng linh kiện SiC và GaN có thể nâng cao tần số chuyển mạch đáng kể, giảm kích thước bộ tản nhiệt, linh kiện lưu trữ năng lượng và bộ lọc, từ đó đạt được hiệu suất chuyển đổi và mật độ công suất cao hơn. Các linh kiện bán dẫn công suất SiC và GaN đang dần thay thế các linh kiện truyền thống dựa trên silicon, mang đến một cuộc cách mạng sâu rộng cho ngành công nghiệp bộ biến đổi điện tử công suất. Công ty PNJ Semiconductor chuyên nghiên cứu và phát triển các sản phẩm bán dẫn thế hệ thứ ba, sở hữu nền tảng công nghệ vững chắc và lợi thế toàn diện trong chuỗi cung ứng. Trong đó, thiết kế MOSFET SiC của PNJ Semiconductor nằm trong hàng đầu ngành, các chỉ tiêu kỹ thuật quan trọng như HDFM đạt mức tiên phong toàn cầu. PNJ Semiconductor đã ra mắt hơn 100 mô hình khác nhau của diode SiC, MOSFET SiC, module công suất SiC và GaN HEMT ở ba cấp điện áp 650V, 1200V và 1700V, cung cấp nhiều lựa chọn và hỗ trợ kỹ thuật toàn diện cho khách hàng. Sản phẩm sản xuất hàng loạt của PNJ Semiconductor hiện đang được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực xe điện, nguồn điện thiết bị IT, bộ biến đổi năng lượng mặt trời, hệ thống lưu trữ năng lượng, ứng dụng công nghiệp và được cung cấp ổn định cho các nhà sản xuất hàng đầu, đồng thời nhận được sự đánh giá cao về chất lượng và năng lực cung ứng.