SiC SBD-P3D06002E2

Silicon carbide (SiC) thuộc về thế hệ bán dẫn thứ babóng đá việt nam, cấu trúc điốt Schottky SiC độc quyền của Pervasive có khả năng chịu điện áp cao hơn và dòng rò thấp hơn so với điốt Schottky truyền thống bằ Điều này giúp nâng cao hiệu suất hệ thống đáng kể, đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng hoạt động ở điện áp cao và tần số lớn. Đồng thời, công nghệ này giải quyết được giới hạn chịu điện áp của điốt silicon và vấn đề tổn hao phục hồi ngược lớn. Điốt silicon carbide có chi phí tương đối thấp và đã được sử dụng rộng rãi. Pervasive cung cấp nhiều loại bọc khác nhau để đáp ứng các điều kiện ứng dụng đa dạng.

Tính năng

Đạt tiêu chuẩn AECQ-101 | Kiểm tra UIS 100% | Tổn hao phục hồi ngược cực nhỏ | Tính năng hoạt động tốt ở nhiệt độ cao

Ưu điểm

Hiệu năng vượt trội | Giảm kích thước hệ thống | Nâng cao hiệu suất tổng thể | Giảm diện tích tản nhiệt | Linh kiện đạt chuẩn ô tô | Giảm chi phí hệ thống | Giảm nhiễu điện từ

Lĩnh vực ứng dụng

Bộ sạc

Yêu cầu mẫu

P3D06002E2 · TO252-2 · 650V · 2A · 4.72nC · 10A · 1.5V · 18A