Transistor GaN (GaN HEMT)

Vì vật liệu gallium nitride (GaN) có khả năng sinh nhiệt rất thấp và điện trường đánh thủng cực cao99WIN, các linh kiện công suất dựa trên GaN HEMT sở hữu điện áp rơi và tổn hao chuyển mạch rất nhỏ. Điều này cho phép nguồn cấp điện sử dụng công nghệ GaN HEMT hoạt động ở tần số chuyển mạch vượt quá 1 MHz, đồng thời sử dụng các linh kiện lưu trữ năng lượng với kích thước cực kỳ nhỏ, từ đó đạt được mật độ công suất rất lớn. Chính vì vậy, GaN HEMT đang được ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực nguồn cung cấp điện cho thiết bị tiêu dùng và công nghệ thông tin.