Điốt SiC (SiC SBD)

Điện tích phục hồi ngược của Diode Schottky SiC (Silicon Carbide) nhỏ hơn rất nhiều so với các linh kiện tương tự sử dụ Ngoài raban tien ca, Diode Schottky SiC có thể hoạt động ở nhiệt độ junction cao hơn. Nhờ những đặc tính ưu việt này, Diode Schottky SiC giúp giảm đáng kể tổn hao phục hồi ngược và tiếng ồn chuyển mạch trong nguồn điện chuyển mạch, từ đó nâng cao hiệu suất chuyển đổi, mật độ công suất tổng thể và độ tin cậy của hệ thống. Đặc điểm nổi bật của Diode Schottky SiC còn góp phần làm giảm đáng kể chi phí tổng thể cho các hệ thống điện tử công suất.

Lọc điều kiện:

Package
- TO220-2
- TO220F-2
- TO220I-2
- TO247-2
- TO247-3
- TO252-2
- TO263-2
- TO263S
- TO-3PF-3
- SMB
- DDPAK-LF-10
- TO-252-3
Blocking Voltage
- 650V
- 1200V
Current Rating
- 2A
- 4A
- 6A
- 8A
- 10A
- 16A
- 20A
- 40A
- 5A
- 15A
- 30A
- 60A

Xóa điều kiện

P/N	Buy Online	Package	Blocking Voltage	Current Rating	Q _C	I _FRM @25℃	Forward Voltage(V _F (type) @25℃	I _(FSM) @25℃	Data Sheet	LT Spice Model	Request Sample

P/N	Buy Online	Package	Blocking Voltage	Current Rating	Q _C	I _FRM @25℃	Forward Voltage(V _F (type) @25℃	I _(FSM) @25℃	Data Sheet	LT Spice Model	Request Sample

Điốt SiC (SiC SBD)

Lọc điều kiện:

Package

Blocking Voltage

Current Rating