Silicon carbide (SiC) là một loại bán dẫn thế hệ thứ balịch thi đấu ngoại hạng anh 2025, trong đó các linh kiện MOSFET SiC có khả năng hoạt động tốt hơn trong điều kiện điện áp cao, tần số cao và nhiệt độ lớn so với các linh kiện Si truyền thống. Việc tăng tần số giúp giảm kích thước các linh kiện từ tính, từ đó đạt được mật độ công suất cao hơn. MOSFET SiC phẳng của Pinejoin có độ tin cậy tuyệt vời ở lớp oxit cổng và độ biến thiên Rdson ở nhiệt độ cao rất nhỏ, mang lại đặc tính hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. Thiết bị này sử dụng dạng chân TO247-3, có thể thay thế trực tiếp cho MOSFET Si cùng loại, đồng thời mang lại hiệu quả kinh tế cao hơn.