Silicon carbide (SiC) thuộc về thế hệ bán dẫn thứ batỷ lệ cá cược, trong đó transistor MOSFET SiC có khả năng hoạt động hiệu quả hơn các linh kiện silicon truyền thống trong điều kiện điện áp cao, tần số lớn và nhiệt độ tăng. Việc nâng cao tần số giúp giảm kích thước các linh kiện từ tính, từ đó đạt được mật độ công suất cao hơn. Transistor MOSFET SiC phẳng của PineJie có độ tin cậy tuyệt vời ở lớp oxit cổng và hiện tượng biến dạng Rdson ở nhiệt độ cao rất nhỏ, mang lại đặc tính hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. Loại MOSFET SiC này sử dụng kiểu bao bì TO247-4 với chân Kelvin, giúp giảm ảnh hưởng của điện cảm nguồn phụ đến mạch cổng, từ đó cải thiện tốc độ chuyển mạch, giảm tổn hao chuyển mạch và nâng cao hiệu suất tổng thể.