Bài phát biểu chủ đề tại hội nghị Tô Châu của Pionnier | Thực trạng và xu hướng phát triển của linh kiện công suất silicon carbide
Ngày 22-23 tháng 5 năm 2024lịch thi đấu ngoại hạng anh 2025, sự kiện do ACT International tổ chức đã diễn ra với chủ đề... Hội nghị Phát triển và Cơ hội Công nghệ Tiên tiến Bán dẫn năm 2024 Được tổ chức tại Nam Kinhlịch thi đấu ngoại hạng anh 2025, hội nghị tập trung vào Vật liệu bán dẫn hợp chất và quy trình sản xuấttỷ lệ cá cược, đóng gói và công nghệ ứng dụng thiết bị điện lực công suất, sản xuất bán dẫn và đóng gói tiên tiến Các chủ đề nóng trong ngành đã được thảo luận sâu rộng tại hội nghị cao cấp. Với vai trò là thương hiệu hàng đầu trong lĩnh vực bán dẫn thế hệ babóng đá trực tuyến, Pienjie sở hữu nền tảng công nghệ vững chắc và lợi thế toàn diện về chuỗi cung ứng. Trong lĩnh vực silic carbua (SiC), Pienjie có kinh nghiệm sản xuất phong phú và đã đưa hơn 1 triệu xe điện vào sử dụng vào năm 2023.
Ông Lôi Duy Dương được mời tham dự và đã có bài phát biểu chủ đề vào sáng ngày 23 tháng 5tỷ lệ cá cược, chia sẻ và trao đổi với mọi người Ưu thế hiệu suất tổng thể trong kinh nghiệm lắp đặt chip silic cacbua trên xe 。
Người thuyết trình - Lôi Duy Dương
Tiến sĩtỷ lệ cá cược, Trưởng phòng Ứng dụng
Tại hội nghịtỷ lệ cá cược, tiến sĩ Lôi Duy Dương đã nói về " ①S iC M Xu hướng phát triển ứng dụng OSFETbóng đá trực tuyến, so sánh các tuyến đường công nghệ của SiC MOSFET, và công nghệ đóng gói mớ Pienjie đã chia sẻ những quan điểm mang tính khách quan đối với ba mô đun chính này và cùng các chuyên gia trong ngành trao đổibóng đá trực tuyến, thảo luận sôi nổi về các ý kiến và góc nhìn.
Mộttỷ lệ cá cược, Xu hướng phát triển ứng dụng SiC MOSFET
Theo chia sẻ của tiến sĩ Lei Yangbóng đá trực tuyến, dữ liệu thị trường từ YOLE cho thấy nhu cầu về thiết bị công suất silic carbua đang tăng dần theo từng năm. Các yêu cầu cốt lõi như khả năng chuyển đổi công suất và hiệu suất chuyển đổi đã trở thành trọng tâm quan tâm của người dùng. Việc thay thế IGBT bằng SiC MOSFET có thể tận dụng tối đa ưu thế chịu điện áp cao của linh kiệ Ngoài ra, ưu thế về tổn hao chuyển mạch của SiC MOSFET cũng mang lại lợi ích kinh tế rõ rệt trong ứng dụng trên xe.
Haibóng đá trực tuyến, So sánh các tuyến đường công nghệ SiC MOSFET
Giá của SiC MOSFET trong hai năm gần đây đã giảm đáng kểlịch thi đấu ngoại hạng anh 2025, chủ yếu nhờ sự phát triển mạnh mẽ của chuỗi cung ứng và giảm chi phí nguyên vật liệu. SiC MOSFET chủ yếu sử dụng...Cấu trúc cổng phẳngtỷ lệ cá cược, cấu trúc rãnh kép và cấu trúc rãnh một nửa bao quanhBa tuyến đường công nghệ nàytỷ lệ cá cược, trong đó Ưu điểm của cấu trúc cổng phẳng là độ tin cậy và ổn định cao ， Ưu điểm của cấu trúc rãnh kép là mật độ rãnh cao ， Cấu trúc rãnh một nửa bao quanh Mặc dù không có ưu thế về mật độ rãnhbóng đá trực tuyến, nhưng Lớp oxit cổng dày hơn ， Cgd nhỏ hơn Công nghệ cấu trúc cổng phẳng đã rất trưởng thànhtỷ lệ cá cược, trong khi công nghệ cấu trúc rãnh (trench) trong vài năm gần đây có sự phát triển nhanh chóng và chiếm thị phần ngày càng lớn. Tuy nhiên, giải pháp tối ưu cuối cùng vẫn cần được kiểm chứng bởi thị trường. Về quá trình phát triển của các linh kiện bán dẫn công suất, để nâng cao hiệu suất, cần thu nhỏ kích thước ô tế bào và tăng mật độ kênh. Vì cường độ điện trường phá vỡ của vật liệu silic carbua gấp 10 lần so với vật liệu silicon, nên việc thiết kế MOSFET silic carbua 650V tương đương với thiết kế MOSFET silicon 65V, và thiết kế MOSFET silic carbua 1200V tương đương với thiết kế MOSFET silicon 120V. Do đó, chúng ta có thể tham khảo con đường phát triển của MOSFET silicon ở mức thấp.
Vào những năm 1980lịch thi đấu ngoại hạng anh 2025, kích thước ô tế bào của MOSFET silicon cấu trúc cổng phẳng khoảng 20-30 micromet. Tuy nhiên, do hiện tượng khuếch tán của vật liệu silicon, không thể thu nhỏ thêm nữa, vì vậy người ta phải sử dụng cấu trúc rãnh để tiếp tục thu nhỏ kích thước ô tế bào. Cấu trúc SGT sau đó đã giải quyết vấn đề về Cgd lớn của cấu trúc rãnh. Hiện nay, xu hướng phát triển công nghệ của linh kiện bán dẫn công suất trên thị trường cơ bản đều hướng đến việc thu nhỏ kích thước ô tế bào. Sản phẩm MOSFET silic carbua có kích thước ô tế bào 4tỷ lệ cá cược,8 micromet mà Pienjie Semiconductor ra mắt vào năm 2019 vẫn giữ được vị thế dẫn đầu về hiệu năng đến thời điểm hiện tại. Pienjie Semiconductor sở hữu quyền sở hữu trí tuệ toàn diện về quy trình sản xuất silic carbuabóng đá trực tuyến, cho phép tiếp tục thu nhỏ kích thước ô tế bào trên tuyến đường công nghệ cấu trúc cổng phẳng. Năm nay, công ty sẽ giới thiệu một dòng sản phẩm MOSFET silic carbua với kích thước ô tế bào nhỏ hơn, giúp tăng mật độ kênh đáng kể, đạt được khả năng tải cao hơn và độ tin cậy tốt hơn.
Mặc dù cấu trúc rãnh có lợi thế về mật độ kênhlịch thi đấu ngoại hạng anh 2025, nhưng điện trở dẫn của nó phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ, khiến điện trở dẫn tăng rõ rệt khi nhiệt độ cao. Nguyên nhân chính là do điện trở vùng di chuyển trong cấu trúc rãnh chiếm tỷ lệ lớn, dẫn đến hệ số nhiệt độ dương lớn cho điện trở dẫn tổng thể. Ngoài ra, cấu trúc tinh thể 4H-SiC có tính dị hướng, khiến đặc tính của mặt cổng giữa cấu trúc cổng phẳng và cấu trúc rãnh khác nhau khá nhiều. Các khuyết tật trong cấu trúc cổng phẳng dễ được làm mịn, do đó tính ổn định cao hơn. Ngược lại, các khuyết tật trong cấu trúc rãnh khó làm mịn, gây ảnh hưởng lớn đến các thông số như Vth. Cuối cùng, tiến sĩ Lei Yang đã phân tích vấn đề nhiễu chéo trong ứng dụng mạch cầu của MOSFET silic carbua và chỉ ra rằng tỉ số Cgs/Cgd của cấu trúc rãnh nhỏ hơn so với cấu trúc cổng phẳng, do đó cấu trúc cổng phẳng có khả năng chống nhiễu chéo tốt hơn và thiết kế mạch điều khiển dễ dàng hơn.
Babóng đá trực tuyến, Công nghệ đóng gói mới cho SiC MOSFET
Tiến sĩ Lei Yang cho biếtlịch thi đấu ngoại hạng anh 2025, xu hướng phát triển công nghệ đóng gói tiên tiến cho MOSFET silic carbua bao gồm cải thiện khả năng chịu điện áp, tăng khả năng tải và giảm tổn hao chuyển mạch. Đồng thời, ông cũng nhấn mạnh những lợi ích mà các công nghệ đóng gói mới mang lại trong quá trình sản xuất hàng loạt, và đề xuất một dạng đóng gói mới – dạng đóng gói bề mặt gắn mặt trước cách điện bên trong. Ngoài ra, Trong buổi chia sẻbóng đá trực tuyến, tiến sĩ Lei Yang còn giới thiệu về các sản phẩm và dịch vụ của Pienjie Semiconductor, bao gồm MOSFET silic carbua, SBD silic carbua và Công ty cũng dự kiến ra mắt sản phẩm MOSFET silic carbua đầu tiên với điện áp 2000 volt vào năm nay. 。
Tại hội nghịlịch thi đấu ngoại hạng anh 2025, tiến sĩ Lei Yang của Pienjie đã trao đổi ý tưởng với các chuyên gia trong ngành, cùng nhau bàn luận về xu hướng, từ chuyên môn đến phát triển, từ phát triển đến hợp tác. Chúng tôi hy vọng sẽ có thêm nhiều cơ hội giao lưu và thảo luận với mọi người trong tương lai, cùng nhau đi xa hơn và khám phá sâu hơn trong lĩnh vực bán dẫn.
Tổng hợp những khoảnh khắc nổi bật của hội chợ
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Về PNJ
-
Kiến thức và hành động nhất quánbóng đá trực tuyến, tạo ra giá trị
-
Thương hiệu hàng đầu Trung Quốc về thiết bị bán dẫn công suất thế hệ ba
-
Tập trung vào nghiên cứubóng đá trực tuyến, thiết kế và công nghiệp hóa bán dẫn dải cấm rộng
-
Sản phẩm chính là MOSFET silic cacbua cấp ô tôbóng đá trực tuyến, diode silic cacbua SBD và thiết bị công suất nitrua gali
-
Sở hữu danh mục thiết bị bán dẫn silic cacbua đầy đủ nhất trong nước
PNJ Semiconductor
Được thành lập vào tháng 9 năm 2018lịch thi đấu ngoại hạng anh 2025, Pienjie Semiconductor là nhà thiết kế và cung cấp giải pháp cho linh kiện công suất thế hệ ba, đồng thời là thành viên chính thức của cuộc họp JC-70 thuộc Ủy ban tiêu chuẩn quốc tế. Công ty đã tham gia xây dựng tiêu chuẩn quốc tế cho linh kiện bán dẫn băng cấm rộng. Đến nay, Pienjie đã phát hành hơn 100 loại linh kiện công suất như SBD silic carbua 650V/1200V/1700V, MOSFET silic carbua và Trong đó, chip MOSFET silic carbua đã được đưa vào sử dụng rộng rãi tại các nhà máy xe điện Trung Quốc và các nhà cung cấp cấp một. Các sản phẩm khác của công ty được ứng dụng rộng rãi trong trung tâm dữ liệu lớn, siêu máy tính và blockchain, trạm phát sóng 5G, hệ thống lưu trữ năng lượng và sạc xe điện, năng lượng mặt trời nhỏ, đường sắt tốc độ cao và đường sắt đô thị, thiết bị gia dụng, cũng như hệ thống truyền tải điện áp cao, hàng không vũ trụ, nguồn điện công nghiệp đặc biệt, UPS, bộ điều khiển động cơ và các lĩnh vực khác.
Tư vấn mẫubóng đá trực tuyến, vui lòng liên hệ: sales@pnjsemi.com